Essa patente trata da descoberta de um novo material cerâmico compósito que apresenta estabilidade térmica em dispositivos de micro-ondas.  

A pesquisa foi realizada a partir da síntese de matrizes cerâmicas como Sr3V2O8 (SVO) e óxido de bismuto (Bi2O3). O coeficiente de temperatura da frequência ressonante (tf) apresentou valores próximos de zero, dentro da região que caracteriza a estabilidade térmica da cerâmica.  

As propriedades do compósito garantem que ele pode ser usado com segurança para o bom funcionamento de componentes em circuitos de micro-ondas, antena ressoadora dielétrica (DRA) e outros componentes eletrônicos utilizados em microeletrônica. O óxido de bismuto apresentou características elétricas interessantes em temperaturas abaixo de 700°C e melhorou os valores da constante dielétrica em cerâmicas obtidas através da adição desse óxido.  

O estudo do compósito SVO-Bi2O3 foi realizado para se observar as características dielétricas deste sistema cerâmico, onde foi possível verificar um acréscimo da tangente de perda do compósito cerâmico e uma visível estabilidade da perda dielétrica na ordem de 10-2. As medidas do coeficiente de temperatura da frequência ressonante do SVO e dos compósitos foram realizadas, e a adição do óxido de bismuto no compósito mostra um deslocamento dos valores de tf para valores negativos, novamente devido às características dielétricas do compósito.