A patente apresenta uma nova tecnologia de memória nanofotônica dinâmica de acesso aleatório (NDRAM), baseada em grafeno e controlada via “gate voltage”, que tem como objetivo substituir os buffers ópticos baseados em Optical Delay Lines (ODLs) utilizados nos comutadores totalmente ópticos (OXCs).  

Devido aos limites da tecnologia eletrônica, as altas taxas de transmissão que ocorrem nessas redes ópticas impossibilitam a conversão óptica/elétrico, comutação dos sinais elétricos e conversão elétrico/óptica, tornando necessária a utilização de OXCs nessas redes. No entanto, o maior problema dos OXCs são os buffers ópticos constituídos por ODLs, os quais são usados para minimizar a ocorrência de colisão de pacotes fotônicos nos OXCs.  

A NDRAM desenvolvida tem como principal vantagem a compatibilidade com as dimensões dos circuitos fotônicos integrados (PICs) e a substituição das ODLs utilizadas nos buffers ópticos dos atuais OXCs, proporcionando o aumento da eficiência desses dispositivos. Além disso, a NDRAM é capaz de diminuir a complexidade dos algoritmos de controle dos OXCs e permitir a operação contínua em relação ao tempo, ao contrário das ODLs que armazenam informações em períodos discretos.  

A memória nanofotônica baseada em grafeno que está sendo patenteada pode ser utilizada em diversos outros dispositivos ópticos nanofotônicos.